2023年全球汽车存储芯片市场价值47.6亿美元，在高阶自动驾驶的推动下，预计到2028年将达到102.5亿美元。汽车存储市场是一个高成长的半导体细分赛道。
汽车存储芯片在汽车半导体中的价值占比，2023年在8-9%左右，预计到2028年将上升至10-11%，主要受益于汽车存储芯片创新加速，推动先进技术存储芯片快速上车。主要驱动力包括：
DRAM：DRAM是存储芯片中市场规模最大的芯片，在消费电子领域（手机、PC、平板等），DDR5（LPDDR5）已成为主流，将在未来2-3年逐步替代传统的DDR4（LPDDR4）。在汽车领域，也正从传统的DDR到DDR4、LPDDR3、LPDDR4等，向LPDDR5、GDDR6等先进存储产品演进。
HBM：高宽带内存，加强版的DRAM，通过堆叠多颗DRAM芯片来提供更高的带宽和容量。由于价格高昂，很长一段时间都不太可能出现在汽车整车中，但用于Transformer AI大模型训练的云端服务器必须配置大量的HBM，HBM成本在AI服务器成本中占比排名第三，约占9%，单机ASP（单机平均售价）高达18,000美元。
NAND Flash：车载计算系统中，重要的数据和训练好的权重模型等存储在硬盘（即eMMC或UFS）里，NAND 主要用于ADAS 系统、IVI 系统、汽车中控等，主要作用在于存储连续数据。五大域融合趋势下，未来3-5年，NAND的单车需求将攀升至2TB+，面向中央计算的车用PCIe SSD将成为重要增长点。
SRAM：速度远超NAND、DRAM，但成本高昂，独立的SRAM几乎已经消失，主要以IP内核的形式直接被集成到CPU，GPU，以及各种SoC芯片内部。高性能汽车SoC普遍集成高容量的片上SRAM。
新型存储（MRAM）：三星、台积电等晶圆制造巨头正在研发MRAM内存产品，并推动下一代汽车应用的实现。恩智浦下一代S32区域处理器（Zonal ECU）、以及微处理器（MCU）都计划引入MRAM，业界认为，MRAM有望替代SRAM成为高速缓存存储器。
EEPROM：智能汽车EEPROM使用需求高达30-40 颗，而普通燃油车EEPROM使用需求仅为15颗左右。EEPROM正向BMS、智能座舱、网关、三电系统等应用延伸。
新型存储（FRAM）：FRAM，相较传统的Flash、EEPROM在读写耐久性、写入的速度和功耗等方面都更具有优势，已应用于安全气囊数据储存(Airbag)、事故数据记录器(EDR)、新能源车CAN盒子(CAN-BOX)、新能源车载通讯终端(T-BOX)等领域。
车载NAND Flash存储演进：UFS 4.0、面向中央计算的PCIe SSD、CXL内存扩展技术
与电脑系统一样，如今的车载计算系统也有硬盘，重要的数据和训练好的权重模型存在硬盘里。
eMMC5.1、UFS3.1已成为目前车载NAND Flash存储的主流标准，2024年2月铠侠推出业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存，符合AEC-Q100 Grade2要求，并已经开始向业界提供样品，最大数据速率4.64GB/s。预计到2025年，UFS 4.0将成为车载存储的标准选项之一，并适用于不同的整车电子电子架构。
未来，基于PCIe接口的NVMe协议车规级SSD将提供大于10GB/s的数据吞吐率，海量存储容量将为下一代智能车载系统提供强力支持。车规级SSD硬盘指的是PCIe做物理层，NVMe做通讯协议的固态硬盘。
NVMe支持超长队列，可以大幅缓解并行计算时存储瓶颈问题。中央计算时代，存储需要统一到中央计算器上，PCIe是最佳选择，通过PCIe交换机将SSD连接在中央SoC计算单元上。
来源：慧荣科技
存储行业的标准制定者JEDEC在2022年11月通过了JESD312标准，12月14日正式公开发布。JESD312定义了用于汽车和类似应用的SSD封装、协议、环境要求和电气接口。车用SSD将使用BGA形式直接贴装在PCB板上，尺寸不大于28 x 28毫米，使用PCIe 4.0 x4接口提供最高8GB/s的峰值传输速率。
JESD312充分考虑汽车电子架构变化，以软件定义汽车，中央计算架构为目标，允许分割存储阵列。
来源：JEDEC
在PCIe之上的CXL存储技术，将是未来车用存储发展的重要方向之一，CXL（Compute Express Link）是一种新兴的开放式互连标准，其本质是将原来的硬盘访问模型改为现有内存访问模型，以内存访问的形态进行数据交互。CXL能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，从而满足高性能异构计算的要求。
来源：得一微电子
车载DRAM存储演进：Transformer大模型时代，GDDR6和HBM快速发展，存储成本飞速增长
AI运算最关键之处是存储而非AI处理器本身，AI运算90%的功耗和延迟都来自存储或者说都来自数据的搬运。90%的工况下，AI处理器都在等待存储系统搬运数据，而运算系统所需要的时间几乎是可以忽略的，所以存储系统的好坏实际决定了真实的算力大小，其中存储带宽基本可以等同于存储系统的好坏，也基本等同真实算力的高低。
在Transformer时代，模型参数至少10亿以上，模型至少1GB大小，存储带宽也决定了能不能运行Transformer。此外，存储还决定了功耗。根据英特尔的研究表明，AI芯片（加速器）当半导体工艺达到 7nm 时，数据搬运功耗高达 35pJ/bit，占总功耗的63.7%。
智能汽车对图像浮点计算的需求不断提升，要流畅地运行Transformer大模型，读取权重模型的速度至少要做到每秒200次，那么存储带宽至少得400GB/s以上，600GB/s以上运行起来会比较流畅。基于此，存储大厂三星、美光都计划推出自己的车规GDDR6解决方案。
特斯拉HW3.0中，第一代FSD的存储带宽只有34GB/s，难以支撑下一代大模型运行；因此，特斯拉最新的自动驾驶大脑即HW4.0不惜血本用上了GDDR6，正反两面各用了8颗，总计16颗，每颗容量2GB；加上座舱控制器里还有4颗GDDR6，每颗容量也是2GB，合计20颗40GB，成本高达160美元以上。而上一代HW3.0中，使用了8颗LPDDR4芯片，一共 8 片 LPDDR4 RAM颗粒，每颗RAM的容量为1GB，共8GB，成本在28美元左右。
特斯拉最新的自动驾驶大脑即HW4.0
来源：佐思汽研《2024年汽车存储芯片及存储产业研究报告》
特斯拉HW4.0 GDDR6是美光提供的D9PZR（非车规级），GDDR6物理层来自Cadence。另外一家能供应GDDR6物理层的是Rambus，其存储物理层IP每年也有大概1.4亿美元的收入，2023年9月，Cadence收购了 Rambus 的 SerDes 和存储器接口 PHY IP 业务。
目前车载芯片内存总带宽特斯拉二代FSD最高，最低估计有448GB/s，最高估计有1008GB/s。目前，SK Hynix提供的HBM2E型号为H5WG6HMN6QX038R，最低带宽为460GB/s，容量为16GB，双通道设计即可达920GB/s，最高估计可达1840GB/s，不过性价比与GDDR6还是差距较大。
预计车载存储的下一波会是GDDR6，再下一波才有可能是HBM，特斯拉的HW 5.0或者说第三代FSD芯片可能会采用HBM存储，但这是非常久远的事了。
常见汽车自动驾驶SoC芯片存储带宽统计
来源：佐思汽研《2024年汽车存储芯片及存储产业研究报告》
01 汽车存储芯片行业概述
1.1 存储芯片分类
1.1.1 存储设备分为三大类
1.1.2 存储芯片（半导体存储）分类
1.1.3 不同存储器在计算单元中使用位置
1.1.4 类型1：易失性存储（RAM）
1.1.5 类型2：非易性存储器（ROM）
1.1.6 类型2：非易性存储器（ROM）：FLASH Memory分类
1.2 存储芯片行业发展现状
1.2.1 2024年全球半导体行业发展，存储芯片是主要驱动力
1.2.2 WSTS预计2024年全球半导体销售额将增长13.1%
1.2.3 2023年全球不同类型半导体市场规模占比
1.2.4 2024年存储将向更多地应用场景持续延伸
1.2.5 2024年存储芯片涨幅预测
1.2.6 2023年主要存储大厂的减产情况
1.2.7 存储芯片各细分市场主要玩家
1.2.8 全球存储芯片价值链（1）
1.2.9 全球存储芯片价值链（2）
1.2.10 全球存储芯片价值链（3）
1.2.11 NAND SSD市场产业链构成
1.2.12 嵌入式NAND（eMMC、UFS）市场产业链构成
1.2.13 DRAM（DDR内存）市场产业链构成
1.2.14 全球主要的Flash原厂（具备Fab能力）（1）
1.2.15 全球主要的Flash原厂（具备Fab能力）（2）
1.3 车载存储芯片行业发展现状
1.3.1 汽车芯片分类
1.3.2 全球车规级芯片市场前景预测（1）
1.3.3 全球车规级芯片市场前景预测（2）
1.3.4 汽车存储芯片分类和应用
1.3.5 汽车存储芯片需求特性特点
1.3.6 不同类型存储芯片在汽车中的应用（1）
1.3.7 不同类型存储芯片在汽车中的应用（2）
1.3.8 不同类型存储芯片在汽车中的应用（3）
1.3.9 2023年全球汽车存储芯片市场规模
1.3.10 汽车存储芯片在ADAS、座舱等各细分场景的应用现状和预测
1.3.11 汽车存储芯片的技术演进趋势总结
1.4 车载存储芯片的需求和应用前景
1.4.1 智能汽车各子模块的存储需求
1.4.2 车内数据产生来源
1.4.3 车载存储技术变革方向
1.4.4 NAND存储产品在车载市场的应用
1.4.5 L3-L5级自动驾驶对车载存储芯片带宽和容量的需求（1）
1.4.6 L3-L5级自动驾驶对车载存储芯片带宽和容量的需求（2）
1.4.7 传感器数据对车载存储芯片的需求（1）
1.4.8 传感器数据对车载存储芯片的需求（2）
1.4.9 汽车数据记录器（EDR）产生GB级存储需求
1.4.10 多域融合和中央集中式EEA趋势下，2025年NAND存储需求
1.5 车载存储芯片市场竞争格局
1.5.1 车载存储芯片市场竞争格局
1.5.2 车载存储芯片国内外竞争态势（1）
1.5.3 车载存储芯片国内外竞争态势（2）
1.6 车载存储车规级标准及认证
1.6.1 车载存储芯片整车供应链准入和认证流程
1.6.2 车载存储芯片车规标准及认证规范（1）
1.6.3 车载存储芯片车规标准及认证规范（2）
1.6.4 车规级芯片需满足的汽车供应链标准体系规范
1.6.5 车载存储芯片需通过严苛的AEC-Q100车用可靠性测试项目
1.6.6 车规级认证AEC-Q100测试项目
1.6.7 车规级芯片供应链认证 ISO 26262
1.6.8 车规级芯片 ISO 26262 功能安全等级认证
1.6.9 ISO 26262 标准半导体分类
1.6.10 汽车存储芯片需符合功能安全
1.6.11 车规级SSD上车面临的挑战（1）
1.6.12 车规级SSD上车面临的挑战（2）
1.7 车载存储芯片国产化
1.7.1 美国《出口管理条例》限制芯片出口
1.7.2 中国存储芯片供应链现状（1）：半导体材料、设备
1.7.3 中国存储芯片供应链现状（2）：设计、制造和封测环节
1.7.4 中国存储芯片供应链现状（3）：存储芯片IP
1.7.5 国产存储芯片厂商竞争现状
1.7.6 国产存储芯片厂商的四种类型（1）
1.7.7 国产存储芯片厂商的四种类型（2）
1.7.8 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（1）
1.7.9 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（2）
1.7.10 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（3）
1.7.11 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（4）
1.7.12 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（5）
1.7.13 汽车存储市场的中国供应商机会（1）
1.7.14 汽车存储市场的中国供应商机会（2）
1.7.15 国产车规存储芯片厂商业务总结（1）
1.7.16 国产车规存储芯片厂商业务总结（2）
1.7.17 国产车规存储芯片厂商业务总结（3）
1.7.18 国产车规存储芯片厂商业务总结（4）
1.7.19 国产车规存储芯片厂商业务总结（5）
02 车载存储芯片前沿发展方向
2.1 车用存储前沿趋势（一）
2.1.1 HBM高带宽内存介绍
2.1.2 HBM，生产工艺和成本
2.1.3 HBM，DRAM和GPU封装，面向AI应用
2.1.4 HBM主要应用于高性能AI计算服务器
2.1.5 HBM在Transformer AI模型中起到的作用
2.1.6 全球主要AI芯片使用HBM情况
2.1.7 英伟达H100和H200主要区别在于HBM存储带宽
2.1.8 英伟达中国特供版AI芯片H20，与华为昇腾 910B直接竞争
2.1.9 全球HBM生产厂商竞争格局，SK海力士独占鳌头
2.1.10 HBM性能演进和发展历程
2.1.11 HBM技术迭代趋势（1）
2.1.12 HBM技术迭代趋势（2）
2.1.13 HBM技术迭代趋势（3）
2.1.14 HBM技术迭代趋势（4）
2.1.15 HBM技术迭代趋势（5）
2.1.16 HBM汽车应用探讨：常见汽车内存性能与价格对比
2.1.17 HBM汽车应用探讨：HBM3控制器框架图
2.1.18 HBM汽车应用探讨：常见汽车自动驾驶SoC芯片存储带宽统计
2.2 车用存储前沿趋势（二）
2.2.1 “存算一体”技术概念图：存算一体打破传统的冯诺依曼体系结构
2.2.2 广义存算一体的技术方案：近存计算、存内处理、存内计算
2.2.3 PIM（存内处理）是下一阶段发展热点
2.2.4 PIM（存内处理）商业化案例（1）
2.2.5 PIM（存内处理）商业化案例（2）
2.2.6 PIM（存内处理）商业化案例（3）
2.2.7 PIM（存内处理）商业化案例（4）
2.2.8 PIM（存内处理）商业化案例（5）
2.2.9 PIM（存内处理）商业化案例（6）
2.2.10 SK海力士的思路：将内存作为加速器
2.2.11 SK海力士AiMX（1）
2.2.12 SK海力士AiMX（2）
2.2.13 SK海力士AiMX（3）
2.2.14 SK海力士CXL计算内存：FPGA产品集成HBM
2.2.15 三星的思路：基于CXL的近内存处理
2.2.16 三星面向AI的存内计算技术（HBM-PIM）（1）
2.2.17 三星面向AI的存内计算技术（HBM-PIM）（2）
2.2.18 三星面向AI的存内计算技术（HBM-PIM）（3）
2.2.19 真正的存算一体：存内计算（CIM）
2.2.20 存内计算（CIM）主要面临存储介质的技术路径选择
2.2.21 国内存算一体芯片企业和技术路径选择
2.2.22 “存算一体”对于自动驾驶的意义（1）
2.2.23 “存算一体”对于自动驾驶的意义（2）
2.2.24 “存算一体”对于自动驾驶的意义（3）
2.2.25 后摩智能发布首款存算一体智驾芯片：鸿途 H30
2.2.26 后摩智能发展历程和核心技术架构
2.3 车用存储前沿趋势（三）
2.3.1 PCIe用途
2.3.2 PCIe标准规范
2.3.3 PCIe体系架构
2.3.4 高带宽、低延时PCIe总线是未来车用存储的重要方向
2.3.5 在PCIe之上的CXL存储技术将在汽车行业推广
2.3.6 基于PCI-e协议的CXL技术（1）
2.3.7 基于PCI-e协议的CXL技术（2）
2.3.8 汽车E/E架构的演进将带来PCIe SSD存储需求
2.3.9 PCIe SSD如何满足车规要求？
2.3.10 PCIe SSD部署上车案例（1）
2.3.11 PCIe SSD部署上车案例（2）
2.3.12 PCIe SSD部署上车案例（3）
2.3.13 PCIe SSD部署上车案例（4）
2.3.14 汽车E/E架构的演进，PCIe交换机的应用（1）
2.3.15 汽车E/E架构的演进，PCIe交换机的应用（2）
2.3.16 汽车E/E架构的演进，PCIe交换机的应用（3）
2.3.17 汽车E/E架构的演进，PCIe交换机的应用（4）
2.3.18 汽车E/E架构的演进，PCIe交换机的应用（5）
2.3.19 PCIe交换机趋势（1）
2.3.20 PCIe交换机趋势（2）
2.4 车用存储前沿趋势（四）
2.4.1 非易失性内存技术分类
2.4.2 非易失性内存性能对比
2.4.3 MRAM有潜力成为下一代存储
2.4.4 嵌入式和独立非易失性内存技术将迅猛发展
2.4.5 MRAM全球和中国玩家发展现状
2.4.6 台积电开发SOT MRAM新型存储器
2.4.7 三星基于先进MTJ工艺推动MRAM技术发展
2.4.8 MRAM汽车应用案例（1）
2.4.9 MRAM汽车应用案例（2）
2.4.10 MRAM汽车应用案例（3）
03 各类型存储芯片汽车应用现状
3.1 DRAM技术和汽车应用情况
3.1.1 DRAM技术原理
3.1.2 DRAM发展为三条主流的分支发展方向
3.1.3 DDR和低功耗内存LPDDR
3.1.4 DDR/LPDDR内存标准（1）
3.1.5 DDR/LPDDR内存标准（2）
3.1.6 DDR/LPDDR内存标准（3）
3.1.7 DDR/LPDDR内存标准（4）
3.1.8 2023年Q3 DRAM全球市场竞争格局
3.1.9 2023年Q2 DRAM全球市场竞争格局
3.1.10 原片大厂DRAM产品和技术动向（1）
3.1.11 原片大厂DRAM产品和技术动向（2）
3.1.12 原片大厂DRAM产品和技术动向（3）
3.1.13 3D DRAM 领域技术竞争到来
3.1.14 DRAM汽车应用：需求量级和单车价值量
3.1.15 DRAM汽车应用：车载DRAM容量需求不断提升
3.1.16 DRAM汽车应用：车载DRAM市场竞争格局
3.1.17 车用DRAM技术演进趋势（1）
3.1.18 车用DRAM技术演进趋势（2）
3.1.19 DRAM汽车应用案例（1）
3.1.20 DRAM汽车应用案例（2）
3.1.21 DRAM汽车应用案例（3）
3.1.22 DRAM汽车应用案例（4）
3.1.23 DRAM汽车应用案例（5）
3.1.24 DRAM汽车应用案例（6）
3.1.25 DRAM汽车应用案例（7）
3.1.26 DRAM汽车应用案例（8）
3.1.27 国内厂商车规级DRAM产品（DDR）
3.1.28 海外厂商车规级DRAM产品（LPDDR）
3.1.29 国内厂商车规级DRAM产品（LPDDR）
3.1.30 海外厂商车规级DRAM产品（GDDR）
3.2 NAND Flash技术和汽车应用情况
3.2.1 NAND Flash 四种技术分类和技术特点
3.2.2 不同架构NAND Flash用途
3.2.3 NAND存储架构
3.2.4 NAND技术演进趋势（1）
3.2.5 NAND技术演进趋势（2）
3.2.6 NAND技术演进趋势（3）
3.2.7 NAND技术演进趋势（4）
3.2.8 NAND技术演进趋势（5）
3.2.9 NAND技术演进趋势（6）
3.2.10 NAND技术演进趋势（7）
3.2.11 2023年Q3 NAND Flash全球市场竞争格局
3.2.12 2023年Q2 NAND Flash全球市场竞争格局
3.2.13 存储大厂NAND产品和技术动向（1）
3.2.14 存储大厂NAND产品和技术动向（2）
3.2.15 存储大厂NAND产品和技术动向（3）
3.2.16 国内NAND Flash厂商产品和应用总结
3.2.17 NAND Flash产品分类
3.2.18 XXX已成为目前车载NAND Flash存储的主流标准
3.2.19 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（1）
3.2.20 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（2）
3.2.21 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（3）
3.2.22 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（4）
3.2.23 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（5）
3.2.24 NAND汽车应用趋势（1）
3.2.25 NAND汽车应用趋势（2）
3.2.26 NAND汽车应用趋势（3）
3.2.27 NAND汽车应用趋势（4）
3.2.28 NAND汽车应用：车载NAND全球市场竞争格局
3.2.29 国内外厂商车规级eMMC产品（1）
3.2.30 国内外厂商车规级eMMC产品（2）
3.2.31 国内外厂商车规级eMMC产品（3）
3.2.32 国内外厂商车规级UFS产品（1）
3.2.33 国内外厂商车规级UFS产品（2）
3.2.34 国内外厂商车规级HBM产品
3.2.35 国内外厂商车规级SSD产品
3.2.36 国内外厂商车规级NAND FLASH产品
3.3 SRAM技术和汽车应用情况
3.3.1 SRAM技术原理
3.3.2 SRAM技术特性、时钟频率和功耗
3.3.3 SRAM全球市场竞争格局
3.3.4 SRAM车内应用案例（1）
3.3.5 SRAM车内应用案例（2）
3.3.6 SRAM车内应用案例（3）
3.3.7 SRAM车内应用案例（4）
3.4 NOR Flash技术和汽车应用情况
3.4.1 NOR Flash技术原理
3.4.2 NOR Flash技术特征
3.4.3 全球车规NOR Flash市场竞争格局（1）
3.4.4 全球车规NOR Flash市场竞争格局（2）
3.4.5 NOR Flash在汽车ADAS中应用空间巨大
3.4.6 兆易创新解决方案
3.4.7 国内外厂商车规级NOR FLASH产品（1）
3.4.8 国内外厂商车规级NOR FLASH产品（2）
3.5 EEPROM技术和汽车应用情况
3.5.1 ROM技术原理和分类
3.5.2 EEPROM的技术优势
3.5.3 非易失性存储芯片领域的三大成熟技术对比
3.5.4 全球EEPROM市场规模
3.5.5 全球EEPROM市场竞争格局
3.5.6 EEPROM汽车应用前景广泛
3.5.7 EEPROM在汽车的应用场景
3.5.8 EEPROM 全球市场规模相对较小，国产厂商加快布局
3.5.9 全球车载 EEPROM 市场竞争格局（1）
3.5.10 全球车载 EEPROM 市场竞争格局（2）
3.5.11 国内厂商车规级EEPROM产品
3.5.12 EEPROM应用
3.6 FRAM技术和汽车应用情况
3.6.1 FRAM存储器技术优势总结
3.6.2 FRAM存储器车载应用场景（1）
3.6.3 FRAM存储器车载应用场景（2）
3.6.4 FRAM在整车控制单元VCU中的应用
04 汽车存储芯片细分应用场景
4.1 中国乘用车销量及智驾/智舱渗透率预测
4.1.1 中国乘用车L1/L2/L2+/L2++/L2+++/L3-L4(Robotaxi) 自动驾驶系统装配率预测
4.1.2 中国乘用车销量及智驾渗透率预测，2024-2027
4.1.3 中国乘用车自动驾驶域控制器出货量预测（万台），2024-2027
4.1.4 中国乘用车智能座舱域控制器出货量预测（万台），2024-2027
4.2 存储芯片应用场景：自动驾驶
4.2.1 ADAS传感器生成的数据存储需求
4.2.2 L4级无人驾驶汽车数据存储需求
4.2.3 不同自动驾驶等级本地数据存储要求（GB）
4.2.4 自动驾驶数据流程和类型
4.2.5 自动驾驶分级存储解决方案
4.2.6 不同等级自动驾驶存储容量需求
4.2.7 智能驾驶系统的存储器类型
4.2.8 智能驾驶系统的存储器
4.3 存储芯片应用场景：座舱
4.3.1 智能座舱存储需求：存储芯片必须要达到车规级要求
4.3.2 智能座舱系统中的存储器类型
4.3.3 智能座舱存储需求：读取速度更快，智能座舱存储芯片接口逐渐升级为UFS接口（1）
4.3.4 智能座舱存储需求：读取速度更快，智能座舱存储芯片接口逐渐升级为UFS接口（2）
4.3.5 智能座舱存储需求：eMMC和UFS对比（1）
4.3.6 智能座舱存储需求：eMMC和UFS对比（2）
4.3.7 智能座舱存储需求：eMMC和UFS对比（3）
4.3.8 智能座舱存储需求：eMMC和UFS对比（4）
4.3.9 智能座舱存储需求：eMMC和UFS对比（5）
4.3.10 智能座舱存储需求：（1）
4.3.11 智能座舱存储需求：（2）
4.3.12 智能座舱存储需求：（3）
4.3.13 智能座舱存储需求：（4）
4.3.14 智能座舱存储需求：（5）
4.3.15 智能座舱存储需求：（6）
4.3.16 智能座舱系统的存储器：（1）
4.3.17 智能座舱系统的存储器：（2）
4.3.18 智能座舱系统的存储器：（3）
4.4 存储芯片应用场景：中央计算单元+Zonal区域控制器
4.4.1 中央计算机+区域解决方案
4.4.2 区域控制器典型布置方案和功能分配
4.4.3 OEM区域控制器数量和功能情况
4.4.4 中国乘用车区域控制器渗透率
4.4.5 智能中央网关控制器存储需求
4.4.6 Zonal控制器存储需求
4.4.7 中央计算单元存储需求
4.4.8 Zonal控制系统的存储器
4.4.9 中央计算平台系统的存储方案
4.5 存储芯片应用场景：驾驶数据记录
4.5.1 EDR全球标准制定动向
4.5.2 EDR强制国标实施路线图
4.5.3 EDR汽车存储需求
4.5.4 FRAM存储器应用于汽车数据记录仪（EDR）
4.5.5 F-RAM 与EEPROM 写数据的对比
4.5.6 FRAM（Ferroelectric RAM）存储技术特点
4.5.7 英飞凌推出业界最高密度的F-RAM存储器
4.6 存储芯片应用场景：云计算和存储
4.6.1 汽车云存储助力自动驾驶研发数据处理
4.6.2 车辆数据上云存储可能面临“数据隐私和安全”法规问题
4.6.3 车载云存储的局限性：面临流量成本和数据安全法规难题
4.6.4 自动驾驶 AI 学习场景工作流程
4.6.5 自动驾驶 AI 学习系统中数据存储面临的挑战
4.6.6 XSKY 星辰天合数据存储方案和自动驾驶高效数据平台
4.6.7 焱融科技自动驾驶分布式存储产品YRCloudFile
4.6.8 西部数据车载云存储方案案例
4.6.9 中科曙光ParaStor“存储+计算”自动驾驶解决方案
05 海外车载存储芯片厂商研究
5.1 三星
5.1.1 2023年三星电子经营情况
5.1.2 2023年三星电子存储业务经营情况
5.1.3 三星DRAM 和 NAND 的路线图
5.1.4 三星车载存储产品线
5.1.5 三星历代eUFS演进规划
5.1.6 三星历代eMMC/eUFS闪存参数对比
5.1.7 三星量产车载UFS 3.1存储器解决方案
5.1.8 三星历代PCIe SSD固态硬盘演进规划
5.1.9 三星 PCIe 5.0 SSD固态硬盘产品组合
5.1.10 三星历代GDDR显存芯片演进规划
5.1.11 三星历代LPDDR内存芯片演进规划
5.1.12 三星最新16GB LPDDR5X+1TB UFS 3.1 多芯片封裝技术
5.1.13 三星历代DDR内存芯片演进规划
5.1.14 三星历代HBM内存芯片演进规划
5.1.15 三星内存计算芯片HBM-PIM架构
5.1.16 三星与芯驰科技达成战略合作
5.2 SK海力士
5.2.1 2023年海力士经营情况（1）
5.2.2 2023年海力士经营情况（2）
5.2.3 海力士车载存储产品线
5.2.4 海力士历代LPDDR内存芯片演进规划
5.2.5 海力士车载LPDDR5
5.2.6 海力士历代HBM内存芯片演进规划
5.2.7 海力士推出HBM3E
5.2.8 海力士eMMC产品：eMMC 5.1
5.2.9 海力士历代UFS内存芯片演进规划
5.2.10 海力士UFS3.1存储芯片
5.2.11 海力士历代GDDR显存芯片演进规划
5.3 美光
5.3.1 2023年美光经营情况
5.3.2 2023年美光经营情况：毛利率
5.3.3 2023年美光经营情况：分产品营收结构
5.3.4 2023年美光经营情况：分地区营收结构
5.3.5 2023年美光经营情况：库存
5.3.6 美光存储芯片研发技术路线图，2023-2027（1）
5.3.7 美光存储芯片研发技术路线图，2023-2027（2）
5.3.8 美光车载存储产品线
5.3.9 美光历代DDR内存芯片演进规划
5.3.10 美光推出ASIL D 车规级LPDDR5X解决方案
5.3.11 美光历代UFS内存芯片演进规划
5.3.12 美光车规级UFS 3.1广泛应用于ADAS和车载信息娱乐系统
5.3.13 美光历代LPDDR内存芯片演进规划
5.3.14 美光历代GDDR显存芯片演进规划
5.3.15 美光历代HBM内存芯片演进规划
5.3.16 美光历代PCIe SSD固态硬盘演进规划
5.3.17 美光车用存储器应用：飞凡R7
5.3.18 美光车用存储器应用：理想L7/L8
5.3.19 美光车用存储器应用：理想L9
5.3.20 美光车用存储器应用：蔚来ET7
5.4 凯侠（东芝）
5.4.1 铠侠经营情况
5.4.2 铠侠车载存储产品
5.4.3 铠侠历代UFS内存芯片演进规划
5.4.4 铠侠推出车载UFS 4.0产品（1）
5.4.5 铠侠推出车载UFS 4.0产品（2）
5.4.6 铠侠车规级UFS3.1运用BiCS Flash 3D技术
5.4.7 铠侠车载UFS3.1产品技术特性
5.4.8 铠侠车载UFS2.1产品技术特性
5.4.9 历代eMMC内存芯片演进规划
5.5 西部数据
5.5.1 2023年西部数据经营情况
5.5.2 2023年西部数据经营情况：利润
5.5.3 2023年西部数据经营情况：库存
5.5.4 西部数据车载存储产品线（1）
5.5.5 西部数据车载存储产品线（2）
5.5.6 西部数据车载存储产品线（3）
5.5.7 西部数据历代UFS内存芯片演进规划
5.5.8 西部数据iNAND AT EU552 UFS 3.1（应用于ADAS）
5.5.9 西部数据 iNAND AT EU312 UFS
5.5.10 西部数据历代eMMC内存芯片演进规划
5.5.11 西部数据 iNAND AT EM132 UFS
5.5.12 西部数据iNAND AT EN610
5.6 慧荣科技（Silicon Motion）
5.6.1 慧荣科技经营情况
5.6.2 慧荣科技汽车存储解决方案
5.6.3 慧荣科技车规存储产品线（1）
5.6.4 慧荣科技车规存储产品线（2）
5.6.5 慧荣科技历代UFS内存芯片演进规划
5.6.6 慧荣科技历代PCIe SSD固态硬盘演进规划
5.6.7 慧荣科技车用 PCIe NVMe SSD 控制器
5.6.8 慧荣科技Ferri车规级单芯片存储解决方案
5.7 富士通
5.7.1 富士通打造FRAM、ReRAM、NRAM三线产品阵列
5.7.2 FRAM的技术优势总结
5.7.3 FRAM的应用领域非常广泛
5.7.4 富士通历代FRAM内存芯片演进规划
5.7.5 富士通车规级FRAM产品技术特性
5.7.6 富士通FRAM应用于电池管理系统BMS
5.7.7 富士通FRAM应用于整车控制器VCU
5.7.8 富士通4Mbit FRAM 存储器，高容量FRAM赋能未来汽车
5.7.9 富士通推出新型纳米随机存储器NRAM
5.7.10 新型的非挥发ReRAM
5.7.11 EEPROM、NOR Flash、 FRAM、NRAM、ReRAM等几种不同存储技术的参数对比
5.8 Neo Semiconductor
5.8.1 Neo Semiconductor的3D DRAM技术（1）
5.8.2 Neo Semiconductor的3D DRAM技术（2）
5.8.3 Neo Semiconductor的3D DRAM技术（3）
06 国内车载存储芯片厂商研究
6.1 长江存储
6.1.1 长江存储业务情况
6.1.2 长江存储全球市占率
6.1.3 长江存储历代UFS内存芯片演进规划
6.1.4 长江存储UFS 3.1
6.1.5 长江存储历代PCIe SSD固态硬盘演进规划
6.1.6 长江3D NAND技术
6.1.7 长江推出232层QLC 3D NAND
6.2 长鑫存储
6.2.1 长鑫存储业务情况
6.2.2 长鑫存储DRAM技术路线图
6.2.3 长鑫存储历代LPDDR内存芯片演进规划
6.2.4 长鑫存储历代DDR内存芯片演进规划
6.3 武汉新芯
6.3.1 武汉新芯业务情况
6.3.2 武汉新芯NOR Flash代工业务
6.3.3 武汉新芯NOR Flash产品
6.4 兆易创新
6.4.1 兆易创新业务情况
6.4.2 2023年兆易创新经营状况：营业收入
6.4.3 2023年兆易创新经营状况：营收结构
6.4.4 2023年兆易创新经营状况：毛利率
6.4.5 2023年兆易创新经营状况：库存情况
6.4.6 兆易创新NOR Flash产品系列
6.4.7 兆易创新存储历代NOR Flash演进规划
6.4.8 兆易创新车规级NOR Flash GD25
6.4.9 兆易创新存储历代DDR内存芯片演进规划
6.4.10 兆易创新DRAM DDR4 产品
6.4.11 兆易创新存储历代NAND Flash演进规划
6.5 北京君正
6.5.1 北京君正业务情况
6.5.2 2023年北京君正经营情况：营业收入
6.5.3 2023年北京君正经营情况：营收结构
6.5.4 北京君正细分业务概览
6.5.5 北京君正历代LPDDR内存芯片演进规划
6.5.6 北京君正历代DDR内存芯片演进规划
6.5.7 北京君正车规级SRAM产品
6.5.8 北京君正eMMC产品
6.6 聚辰股份
6.6.1 聚辰半导体业务情况
6.6.2 聚辰股份车规级EEPROM 产品系列
6.6.3 聚辰股份车规级EEPROM GT25A1024A
6.6.4 聚辰股份车规级 EEPROM应用
6.6.5 聚辰股份车规级SPI NOR Flash存储芯片
6.6.6 聚辰股份SPD 产品系列
6.7 普冉半导体
6.7.1 普冉半导体业务情况
6.7.2 2023年普冉半导体经营情况：营业收入
6.7.3 2023年普冉半导体经营情况：盈利能力
6.7.4 2023年普冉半导体经营情况：运营能力
6.7.5 普冉半导体车规级NOR Flash产品线
6.7.6 普冉半导体车规级NOR Flash：PY25Q32HB-SUH-AR
6.7.7 普冉半导体车规级EEPROM产品线
6.8 复旦微电子
6.8.1 复旦微电子业务情况
6.8.2 2023年复旦微电子经营情况：营业收入
6.8.3 2023年复旦微电子经营情况：研发投入
6.8.4 复旦微电子存储器产品线
6.8.5 复旦微电子车规FM EEPROM产品线路图
6.8.6 复旦微电子车用FM EEPROM产品规划
6.8.7 复旦微电子车用EEPROM 存储芯片FM24C512DA1通过车规认证
6.8.8 复旦微电子推出符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM
6.8.9 复旦微电子车规NOR Flash产品路线
6.8.10 复旦微电子汽车用NOR Flash产品规划
6.8.11 复旦微电子汽车用NAND Flash产品路线
6.8.12 复旦微电子汽车用NAND Flash产品规划
6.9 江波龙
6.9.1 江波龙公司简介
6.9.2 2023年江波龙经营状况：营业收入
6.9.3 2023年江波龙经营状况：毛利率
6.9.4 2023年江波龙经营状况：营业结构
6.9.5 江波龙经营状况：供应商占比
6.9.6 2023年江波龙经营状况：存货及周转率
6.9.7 江波龙产品线
6.9.8 江波龙汽车存储芯片产品线
6.9.9 江波龙历代NAND Flash演进规划
6.9.10 江波龙自研中小容量的存储芯片
6.9.11 江波龙历代UFS演进规划
6.9.12 江波龙FORESEE 车规级UFS（1）
6.9.13 江波龙FORESEE 车规级UFS（2）
6.9.14 江波龙历代eMMC演进规划
6.9.15 江波龙FORESEE 车规级eMMC产品通过AEC-Q100测试
6.9.16 江波龙历代DDR演进规划
6.9.17 江波龙完善存储产业链布局
6.9.18 江波龙自研存储主控芯片和SLC NAND Flash芯片
6.10 旺宏电子
6.10.1 旺宏电子业务情况
6.10.2 2023年旺宏电子经营情况：营业收入
6.10.3 旺宏电子车规级NOR Flash产品线
6.10.4 旺宏电子车规级NAND产品线
6.11 佰维
6.11.1 佰维存储业务情况
6.11.2 2023年佰维存储经营情况：营业收入
6.11.3 2023年佰维存储经营情况：净利润
6.11.4 佰维汽车存储解决方案（1）
6.11.5 佰维汽车存储解决方案（2）
6.11.6 佰维车载存储产品线
6.11.7 佰维历代LPDDR演进规划
6.11.8 佰维历代uMCP演进规划
6.11.9 佰维车用存储C1008系列（1）
6.11.10 佰维车用存储C1008系列（2）
6.11.11 佰维车用存储C1008系列（3）
6.11.12 佰维车用存储C1008系列（4）
6.12 钰创
6.12.1 钰创车用存储产品
6.12.2 钰创车用内存应用
6.13 得一微电子
6.13.1 得一微电子车规级eMMC存储芯片
6.13.2 得一微电子工业级和车规级eMMC
6.13.3 得一微电子车规级eMMC存储芯片特点
6.13.4 得一微电子车规级CXL SSD
6.14 东芯半导体
6.14.1 东芯半导体存储芯片产品介绍
6.14.2 东芯半导体存储芯片产品：NAND
6.14.3 东芯半导体存储芯片产品：DRAM
6.14.4 东芯半导体存储芯片产品：NOR Flash
6.14.5 东芯半导体布局车规级存储
6.14.6 东芯半导体核心竞争力
6.15 合肥康芯威
6.15.1 合肥康芯威公司简介
6.15.2 合肥康芯威主要客户
6.16 长江万润半导体
6.16.1 长江万润半导体公司简介
6.16.2 长江万润半导体eMMC产品
6.16.3 长江万润半导体自建封装厂
6.17 晶存科技
6.17.1 晶存科技公司简介
6.17.2 晶存科技车规级存储：LPDDR4/4X
6.17.3 晶存科技车规级存储：eMMC
6.18 西安紫光国芯
6.18.1 西安紫光国芯公司简介
6.18.2 西安紫光国芯CXL内存扩展主控技术方案
6.18.3 西安紫光国芯嵌入式DRAM技术（SeDRAM®）技术方案
6.18.4 西安紫光国芯DRAM KGD解决方案
6.18.5 西安紫光国芯车规级存储芯片解决方案
6.18.6 西安紫光国芯车规级超低功耗LPDDR4X内存
6.18.7 西安紫光国芯车规级DDR3
6.19 群联电子
6.19.1 2023年群联电子经营情况：营业收入
6.19.2 群联电子PCIe 4.0 SSD E22T 车用存储方案
6.20 上海贝岭
6.20.1 上海贝岭车规级 EEPROM 产品