800V+架构车型销量将增长超10倍，拉动SiC/GaN功率芯片上车
第三代半导体例如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料制造的半导体，因具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是新能源汽车领域功率半导体性能升级的主要选择。
•SiC功率器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求，广泛应用于主驱逆变器、车载充电器（OBC）、DC/DC转换器等关键部件，更是高压架构的最佳拍档。随着800V高压平台成为主流配置、成本持续下降，SiC将从主驱逆变器向车载压缩机、主动悬架等领域全面拓展。
•GaN功率器件具备高开关频率、耐高温、低损耗等优势，可用于制作功率、射频、光电器件。由于GaN比SiC具有更高的电子迁移率，因而GaN的优势在于可将开关频率做得更高，但其功率段覆盖并不是特别宽，同时其漏源导通电阻受温度影响大，故而在大电流和高温场景下面临性能劣势。目前在汽车领域GaN在OBC、DC-DC转换器等领域已有所进展。
根据佐思汽研数据库统计，2022年中国800-1000V高压架构乘用车数量仅13款，2024年中国800-1000V高压架构在售乘用车数量超过47款，截止到2025年上半年，中国800V高压架构在售乘用车数量达到70款。中国800V高压架构在售乘用车从保时捷、奔驰等豪华品牌，延伸到蔚来、小鹏、极氪等中端品牌，再到比亚迪、零跑等15-20万元价位段车型。
2024年中国800-1000V高压架构乘用车销量达73.9万辆，占中国新能源乘用车总销量的6.9%；预计2025年800-1000V高压架构渗透率将达到10.9%，销量可达149.5万辆；2030年渗透率将超过35%，出货量超过745万辆，达2024年销量规模的10倍以上。
未来将出现更多的全SiC BEV，并采用800V高压架构。在这种架构下，包括空调压缩机（3-10kW）、电池包、逆变器（5-600kW）、DC充电桩、DC/DC转换器（1-5kW）以及OBC（3-30kW）等关键部件都将采用SiC器件。在技术驱动下，2024年中国乘用车SiC/GaN功率芯片（车规、充电设备等）需求量为0.73亿颗，预计2025年可达1.46亿颗，同比增长98.6%，到2030年中国乘用车SiC/GaN功率芯片需求量将达6.08亿颗，行业迎来高速发展期。
中国乘用车市场SiC/GaN功率芯片需求预测
来源：佐思汽研《2025年车规级功率半导体和模组（SiC、GaN）行业研究报告》
在800V高压平台实现大规模装车的同时，比亚迪正陆续将旗下车型的电压等级提升至1000V平台，车载SiC功率器件的耐压等级也相应提高到1500V-1700V。
来源：佐思汽研《2025年车规级功率半导体和模组（SiC、GaN）行业研究报告》
比亚迪已率先发布了其全新一代车规级1500V大功率SiC功率芯片，搭载超级e平台，电控效率达99.7%，成本较进口降低40%。
•采用叠层激光焊技术，通过优化芯片互联结构，成功将杂散电感降低75%，相比传统封装可以降低30%动态损耗；
•峰值电流可达1000A，过流能力增强10%；
•支持高达1000kW的充电功率，较行业主流的600kW快充技术提升了近70%；
•采用纳米银烧结技术，使连接层热阻降低95%，可靠性寿命提升5倍以上；
•结合Cuclipbonding工艺与氮化硅AMB基板，芯片体积缩小50%，功率密度翻倍。
这是行业首次量产应用的、最高电压等级的车规级SiC功率芯片，首搭车型覆盖汉L EV、唐L EV、仰望U7、腾势N9。
来源：比亚迪
东风奕派则计划在下一代超1000V平台上采用1700V SiC电源模块。该模块产品已于2025年6月正式下线，开关损耗锐减60%，通过第二代SiC芯片技术优化栅极驱动设计（支持+15~+18V驱动电压）和低寄生电感封装（≤10nH），显著降低Eon/Eoff损耗。对比传统IGBT，系统效率从96%跃升至99%，仅效率提升即可为整车续航延长3%以上。
来源：网络
SiC功率器件持续引入新封装技术以提高效率，混碳功率模块（SiC+IGBT）正快速上车
SiC功率器件持续引入新技术以提高效率，例如嵌入式封装技术、三电平拓扑结构等，不少主机厂和Tier1都推出相应的解决方案。
•嵌入式封装技术：通过将高压功率芯片直接嵌入PCB板（如SiC、GaN芯片），替代传统分立式功率模块，可实现电驱控制器的高密度集成与性能跃升。同样的出流要求，可使半导体的用量比框架式模块减少20%-30%。在WLTC循环损耗对比中，相较于800V SiC框架式封装，800V SiC嵌入式封装的能量损耗减少约60%，开关损耗和导通损耗降低。而且在相同温度条件下，嵌入式功率模块的寿命是框架式封装的数倍。
•三电平拓扑结构：三电平的逆变电路可以通过上、下管的开通输出高、低电平，通过中间二极管的钳位作用输出零电平，总共三个电平状态，因此被称为三电平逆变电路。相比两电平方案，三电平方案的波形质量好，杂音小；开关损耗降低约75%，器件发热少，寿命更长；纹波电流小，减少设备振动和发热，运行更稳；滤波器设计更灵活，电感和电容值可以减小，体积和重量下降30%-50%；动态响应快。
来源：网络
广汽集团全新星源增程平台技术应用广汽夸克电驱2.0，搭载嵌入式功率模块，体积减小80%，电控最高效率达99.9%，在1000V高压平台下驱动电机功率密度达17.29kW/kg，电驱系统CLTC工况效率高达93%。
来源：广汽集团
采埃孚亚太区研发团队自主研发的芯片内嵌式逆变器（Chip Inlay Power Board，CIPB），就是通过将功率芯片嵌入PCB，将杂散电感降低，将体积功率密度做高，实现逆变器的极致性能。同时，该技术可实现紧凑型轻量化设计，不仅兼容市场标准的晶圆或裸片，还可自由调节半导体类型、芯片、数量和尺寸。
来源：采埃孚
吉利汽车最新推出的雷霆11合1混动系统，首次采用混碳电控，将IGBT与SiC TPAK单管混合封装，形成混碳电控方案。IGBT擅长中低频场景下的稳定输出，而SiC则在高压高频环境下效率更优，两者的协同可使功率控制模块效率突破99%。
其中，混碳模块采用三电平SiC高效技术，拥有塑封模块和T-pak单管两种封装形式。同时，SiC无级升压模块通过全域电压寻优，能在电池电量低于20%时仍维持系统电压稳定。
来源：网络
混碳功率模块（SiC+IGBT）有助于平衡性能和成本，正快速量产上车，SiC和Si基功率电子器件可以在不同层级混合使用，以在性能和成本之间取得平衡：
•在采用分立器件构建的逆变器中，可以灵活地混合并联SiC和Si器件，甚至可以在模块层面或器件层面（裸芯片）混合使用SiC和Si。
•在配备多个电机的BEV中，主电机逆变器可以采用SiC，而辅助电机则可以采用Si。对于两相或开绕组电机，其两个功率模块可以都采用SiC或都采用Si，或者两者混合使用。
来源：佐思汽研《2025年车规级功率半导体和模组（SiC、GaN）行业研究报告》
小鹏汽车的新一代混合碳化硅同轴电驱技术，通过优化SiC与硅基器件的混合应用，平衡了成本与性能，已应用于新款G9等车型。
•电驱系统CLTC效率高达93.5%；
•在碳化硅芯片用量减少60%的同时，输出功率提升10%；
•采用同轴电机布局和紧凑型设计，电驱系统体积减少30%、重量降低7.5%；
•该电驱技术基于全域800V碳化硅平台，可与5C超充AI电池协同工作。
来源：小鹏
GaN器件进入车载OBC领域，未来将持续探索潜在增长空间
截至目前，包括特斯拉、长安汽车、马自达、吉利威睿等车企，及汇川联合动力、联合汽车电子、阳光电动力等Tier1厂商已率先在OBC领域导入GaN方案。另从GaN供应商层面来看，英诺赛科、英飞凌、纳微半导体等正围绕汽车电子推出相关产品。
来源：佐思汽研《2025年车规级功率半导体和模组（SiC、GaN）行业研究报告》
汇川联合动力新一代6.6kW GaN车载二合一电源产品，将车载充电器与车载直流变换器集成，采用GaN功率器件，达到了业内领先的96%充电效率和4.8kW/L整机功率密度。对比传统Si/SiC方案，功率密度提升30%，达4.8kW/L，OBC满载平均效率超过96%，DC/DC工况效率高达97.09%@700W，相较于传统Si/SiC方案，重量减少20%。
该产品适用于电池电压范围在200V至500V的车型，其对功率回路做了优化，优化了高频大功率PCB布线技术，降低高速开关带来的干扰与损耗。通过级联/并联变换器磁性元件整体集成设计，系统性优化体积与损耗。散热方面是采用一体型材设计的水道结构，增大散热面积，降低热阻，同时减小体积与重量。
来源：汇川联合动力
除车载OBC外，GaN芯片所具备的窄脉冲、大峰值电流、高效的性能，能够达到更长的探测距离，并降低功率损耗和温升，更好地满足车载激光雷达系统所需。此外，GaN在DC-DC转换器的应用正在扩展。GaN器件正逐步渗透进入新能源汽车领域，其潜在增长空间同样不容忽视。
01 功率半导体概述
1.1 功率半导体定义与分类
功率半导体的定义
功率半导体分类
功率半导体材料形式
功率半导体材料形式：碳化硅（SiC）
功率半导体材料形式：氮化镓（GaN）（1）
功率半导体材料形式：氮化镓（GaN）（2）
功率半导体材料形式：氮化镓（GaN）（3）
功率半导体材料形式：GaN VS SiC（1）
功率半导体材料形式：GaN VS SiC（2）
功率半导体材料形式：第三代半导体材料将长期共存
1.2 功率半导体车载应用场景
功率半导体的车载应用
功率半导体的车载应用：SiC/GaN功率器件主要应用于三电系统
功率半导体的车载应用：GaN功率器件在车载领域的发展进程（1）
功率半导体的车载应用：GaN功率器件在车载领域的发展进程（2）
功率半导体的车载应用：GaN功率器件在车载领域的发展进程（3）
功率半导体的车载应用：GaN功率器件的潜在应用领域
1.3 第三代半导体：车规级SiC功率器件产业和市场分析
车规级SiC功率器件：高压架构的最佳搭档
车规级SiC功率器件：800-1000V碳化硅技术优势
车规级SiC功率器件：碳化硅产业链
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，SiC衬底与外延技术
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，SiC衬底发展趋势
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，SiC衬底市场价格
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，主流SiC衬底厂商
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，外延成本与价格
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，外延产能布局
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，封装技术（1）
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，封装技术（2）
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，封装技术（3）
车规级SiC功率器件：碳化硅供应链，封装技术（4）
车规级SiC功率器件：800-1000V 功率器件封装案例
车规级SiC功率器件：全球供应商竞争格局
车规级SiC功率器件：全球SiC碳化硅功率器件产业格局
车规级SiC功率器件：新能源汽车主要应用导电型碳化硅功率器件
车规级SiC功率器件：SiC在800-1000V车型应用技术方案
车规级SiC功率器件：SiC装配800-1000V 车型列表
车规级SiC功率器件：SiC在新能源800-1000V 乘用车中发展趋势
车规级SiC功率器件：1200-1500V SiC功率器件装配车型列表
车规级SiC功率器件：新能源乘用车SiC功率器件竞争布局
车规级SiC功率器件：650-1500V SiC 功率芯片
车规级SiC功率器件：650-1500V SiC 功率模组
车规级SiC功率器件：2025-2030年技术发展趋势
全球SiC功率器件的市场规模及其预测，2020-2030E
中国乘用车SiC功率器件核心应用场景
中国乘用车车规SiC芯片市场规模汇总，2022-2030E
1.4 第三代半导体：车规级GaN功率器件产业和市场分析
车规级GaN功率器件：800-1000V高压架构应用
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，SiC与GaN的工艺技术差异
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN外延衬底材料
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN外延衬底材料以金刚石为基础的新技术（1）
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN外延衬底材料以金刚石为基础的新技术（2）
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN外延衬底材料以金刚石为基础的新技术（3）
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN主流封装技术，分立器件的封装形式（1）
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN主流封装技术，分立器件的封装形式（2）
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN主流封装技术，合封器件的封装形式（1）
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN主流封装技术，合封器件的封装形式（2）
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN主流封装技术对比
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN先进封装技术（1），电气性能优化
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN先进封装技术（2），热管理结构创新
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN先进封装技术（3），集成化封装
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，GaN先进封装技术（4），应力优化设计
车规级GaN功率器件：氮化镓供应链，器件成本对比
车规级GaN功率器件：主要供应商及技术路线（1）
车规级GaN功率器件：主要供应商及技术路线（2）
车规级GaN功率器件：主要供应商及技术路线（3）
车规级GaN功率器件：主要供应商及技术路线（4）
车规级GaN功率器件：产品案例（1）
车规级GaN功率器件：产品案例（2）
车规级GaN功率器件的价格分析（1）
车规级GaN功率器件的价格分析（2）
全球GaN功率器件的市场规模及其预测，2020-2030E
中国乘用车GaN功率器件核心应用场景
中国乘用车GaN功率器件的市场规模及其预测，2025-2030E
1.5 车规级功率半导体认证标准
功率半导体的车规级标准
功率半导体的车规级标准：AEC-Q
功率半导体的车规级标准：AEC-Q101（分立器件）
功率半导体的车规级标准：AQG 324（功率模组）（1）
功率半导体的车规级标准：AQG 324（功率模组）（2）
功率半导体的车规级标准：AQG 324（功率模组）（3）
功率半导体的车规级标准：IATF 16949（质量管理系统认证体系）
功率半导体的车规级标准：ISO 26262（功能安全）（1）
功率半导体的车规级标准：ISO 26262（功能安全）（2）
02 车规级功率半导体应用场景及市场研究
2.1 车规级功率半导体应用场景：主驱逆变器
主驱逆变器
主驱逆变器：SiC功率模块应用800V及其以上平台（1）
主驱逆变器：SiC功率模块应用800V及其以上平台（2）
主驱逆变器：主流逆变器的技术和成本差异
800V 电机控制器-核心供应商产品及技术
主驱逆变器的发展趋势：采用 GaN 器件（1）
主驱逆变器的发展趋势：采用 GaN 器件（2）
主驱逆变器的技术创新：现代汽车的2级电机系统设计（1）
主驱逆变器的技术创新：现代汽车的2级电机系统设计（2）
中国在售800-1000V高压架构乘用车，截止2025Q2（1）
中国在售800-1000V高压架构乘用车，截止2025Q2（2）
中国在售800-1000V高压架构乘用车，截止2025Q2（3）
中国在售800-1000V高压架构乘用车竞争格局分析
中国800-1000V高压架构乘用车销量及渗透率预测，2022-2030E
中国800-1000V乘用车主驱碳化硅芯片市场规模预测，假设基准
数据表：中国800-1000V乘用车主驱碳化硅芯片市场规模预测，2022-2030E
2.2 车规级功率半导体应用场景：车载充电器
车载充电器（OBC）
车载充电器：功率演进
车载充电器：功率架构
车载充电器：400V电压平台（1）
车载充电器：400V电压平台（2）
车载充电器：800V电压平台（1）
车载充电器的发展趋势一：双向 OBC
车载充电器的发展趋势二：导入GaN（1）
车载充电器的发展趋势二：导入GaN（2）
车载充电器的发展趋势二：导入GaN（3），氮化镓OBC
车载充电器的发展趋势二：导入GaN（4），双向氮化镓功率器件
车载充电器的发展趋势二：导入GaN（5），双向氮化镓功率器件
中国新能源乘用车 OBC 碳化硅芯片市场规模预测，假设基准
数据表：中国新能源乘用车 OBC 碳化硅芯片市场规模预测，2020-2030E
2.3 车规级功率半导体应用场景：高压直流变换器
高压直流变换器（DC/DC Converter）
高压直流变换器：安森美SiC产品应用设计
高压直流变换器：意法半导体SiC产品应用设计
高压直流变换器的发展趋势：导入 GaN 器件
中国新能源乘用车高压DC/DC碳化硅/氮化镓市场规模预测，2022-2030E
附数据表：中国新能源乘用车高压DC/DC碳化硅/氮化镓市场规模预测，2022-2030E
2.4 车规级功率半导体应用场景：电动压缩机
电动压缩机（1）
电动压缩机（2）
电动压缩机解决方案（1）
电动压缩机解决方案（2）
中国新能源乘用车电动压缩机碳化硅市场规模预测，2022-2030E
数据表：中国新能源乘用车电动压缩机碳化硅市场规模预测，2022-2030E
2.5 功率半导体应用场景：直流充电设备
直流充电设备不同电压系统拓扑结构与MOSFET选型对比
直流充电设备发展趋势：模块和功率器件演进
直流充电设备发展趋势：兆瓦级快充网络建设加快
直流充电设备发展趋势：国家能源局充电桩“三年倍增”行动方案
直流充电设备发展趋势：GB 46519-2025《电动汽车供电设备能效限定值及能效等级》
直流充电设备发展趋势：生产商加快碳化硅器件采购招标
直流充电设备发展趋势：碳化硅在直流充电设备的部分应用案例
中国直流充电设备碳化硅市场规模预测，假设基准
数据表：中国直流充电设备碳化硅市场规模预测，2022-2030E
2.6 中国乘用车车规SiC/GaN芯片市场规模汇总
中国乘用车车规SiC芯片市场规模汇总，2022-2030E
中国乘用车车规GaN芯片市场规模汇总，2025-2030E
03 车规功率器件发展趋势及供应链产能分布
3.1 车规级功率器件发展趋势一：嵌入式封装技术
嵌入式封装技术（1）
嵌入式封装技术（2）
嵌入式封装技术（3）
嵌入式SiC封装方案：广汽夸克电驱2.0
嵌入式SiC封装方案：上海诚帜SiC嵌入式功率模块
嵌入式SiC封装方案：芯华睿半导体嵌入式SiC封装
嵌入式SiC封装方案：采埃孚芯片内嵌式逆变器
嵌入式SiC封装方案：英飞凌嵌入式封装
嵌入式SiC封装方案：联合电子嵌入式逆变砖
嵌入式GaN封装方案：浩思动力自主功率氮化镓嵌埋封装模块设计（1）
嵌入式GaN封装方案：浩思动力自主功率氮化镓嵌埋封装模块设计（2）
..................
嵌入式GaN封装方案：浩思动力自主功率氮化镓嵌埋封装模块设计（7）
3.2 车规级功率器件发展趋势二：三电平SiC模块
三电平逆变技术（1）
..................
三电平逆变技术（6）
三电平SiC模块方案：三电平1200V SiC模块
三电平SiC模块方案：主机厂的三电平逆变技术
三电平SiC模块方案：联合汽车电子的T型三电平电机控制器
3.3 车规级功率器件发展趋势三：Si/SiC混合功率模块
Si/SiC混合功率模块（1）
..................
Si/SiC混合功率模块（5）
Si/SiC混合功率模块方案
Si/SiC混合功率模块方案：小鹏汽车的混合碳化硅同轴电驱技术
Si/SiC混合功率模块方案：吉利的碳化硅混合驱动集成技术
Si/SiC混合功率模块方案：星驱科技的多合一电驱动
Si/SiC混合功率模块方案：采埃孚的芯片内嵌式逆变器
Si/SiC混合功率模块方案：汇川联合动力的PD4H混碳电控
3.4 国内外车规级功率半导体厂商产能布局总结
国内外车规级功率半导体厂商产能布局总结（1）
国内外车规级功率半导体厂商产能布局总结（2）
..................
国内外车规级功率半导体厂商产能布局总结（8）
国内外车规级功率半导体厂商产能布局总结（9）
3.5 国内外第三代功率半导体材料厂商产能布局总结
国内外第三代功率半导体材料厂商产能布局总结（1）
..................
国内外第三代功率半导体材料厂商产能布局总结（5）
3.6 国内外第三代半导体功率器件相关厂商营收情况总结
国内外第三代半导体功率器件相关厂商营收、毛利和业务总结（1）
国内外第三代半导体功率器件相关厂商营收、毛利和业务总结（2）
国内外第三代半导体功率器件相关厂商营收、毛利和业务总结（3）
国内外第三代半导体功率器件相关厂商营收、毛利和业务总结（4）
04 主机厂功率半导体和模组的布局策略
4.1 主机厂功率半导体和模组的布局策略
主机厂功率半导体和模组的布局策略：投资/合资/自建功率半导体企业（1）
主机厂功率半导体和模组的布局策略：投资/合资/自建功率半导体企业（2）
4.2 比亚迪
比亚迪功率半导体布局
比亚迪功率半导体布局：产能分布
比亚迪功率半导体应用演进（1）
比亚迪功率半导体应用演进（2）
比亚迪 800V 车型销量占比（1）
比亚迪 800V 车型销量占比（2）
比亚迪1500V SiC：新一代耐压碳化硅功率芯片（1）
比亚迪1500V SiC：新一代耐压碳化硅功率芯片（2）
比亚迪1500V SiC：新一代耐压碳化硅功率芯片（3）
比亚迪1500V SiC应用：超级e平台
比亚迪1200V SiC应用：十二合一电驱动总成（1）
比亚迪1200V SiC应用：十二合一电驱动总成（2）
比亚迪1200V SiC应用：八合一电驱动总成（1）
比亚迪1200V SiC应用：八合一电驱动总成（2）
比亚迪1200V SiC应用：八合一电驱动总成（3）
比亚迪GaN应用：智能车载无人机系统灵鸢应用 GaN
4.3 理想汽车
理想汽车功率半导体布局
理想汽车功率半导体布局：碳化硅电驱技术体系及产能分布
理想汽车功率半导体应用演进
理想汽车 800V 车型销量占比
理想汽车800V SiC：自研高压SiC功率模块（1）
理想汽车800V SiC：自研高压SiC功率模块（2）
理想汽车800V SiC应用：汇想五合一电驱动总成
4.4 小鹏汽车
小鹏汽车功率半导体布局
小鹏汽车功率半导体应用演进
小鹏汽车 800V 车型销量占比
小鹏汽车800V SiC：混碳模块
小鹏汽车800V SiC应用：新一代混碳同轴电驱（1）
小鹏汽车800V SiC应用：新一代混碳同轴电驱（2）
小鹏汽车800V SiC应用：新一代混碳同轴电驱（3）
小鹏汽车800V SiC：塑封SiC模块（1）
小鹏汽车800V SiC：塑封SiC模块（2）
小鹏汽车800V SiC应用：扶摇2.0电驱
小鹏汽车800V SiC应用：800V电驱系统（1）
小鹏汽车800V SiC应用：800V电驱系统（2）
4.5 蔚来汽车
蔚来汽车功率半导体布局
蔚来汽车功率半导体应用演进
蔚来汽车 800V 车型销量占比
蔚来汽车1200V SiC应用：最新一代电驱系统
蔚来汽车1200V SiC应用：900V高性能电驱系统（1）
蔚来汽车1200V SiC应用：900V高性能电驱系统（2）
蔚来汽车1200V SiC应用：900V高性能电驱系统（3）
蔚来汽车800V SiC应用：第二代电驱系统（1）
蔚来汽车800V SiC应用：第二代电驱系统（2）
蔚来汽车800V SiC应用：第二代电驱系统（3）
4.6 零跑汽车
零跑汽车功率半导体布局
零跑汽车功率半导体布局：产能分布
零跑汽车功率半导体应用演进
零跑汽车 800V 车型销量占比
零跑汽车800V SiC应用：四合一增程驱动系统
零跑汽车800V SiC应用：电驱系统（1）
零跑汽车800V SiC应用：电驱系统（2）
4.7 小米汽车
小米汽车功率半导体布局
小米汽车功率半导体布局：供应链（1）
小米汽车功率半导体布局：供应链（2）
小米汽车功率半导体应用演进
小米汽车 800V 车型销量占比
小米汽车800V SiC应用：V6s Plus超级电机
小米汽车800V SiC应用：800V碳化硅电驱系统
小米汽车400V/800V SiC应用：V6/V6s电机
4.8 吉利汽车
吉利汽车功率半导体布局
吉利汽车功率半导体应用演进（1）
吉利汽车功率半导体应用演进（2）
吉利汽车功率半导体应用演进（3）
吉利集团 800V 车型销量占比（1）
吉利集团 800V 车型销量占比（2）
吉利汽车800V SiC：混碳模块
吉利汽车800V SiC应用：雷霆11合1混动系统
吉利汽车800V SiC应用：800V高压平台
吉利汽车GaN应用：Gemini小型增程器
吉利汽车GaN应用：氮化镓增程发电系统
4.9 上汽智己
上汽智己功率半导体布局
上汽智己功率半导体应用演进
智己汽车 800V 车型销量占比
智己汽车800V SiC应用：准900V双碳化硅平台
智己汽车800V SiC应用：新一代飓风电机
智己汽车800V SiC应用：飓风电机
4.10 广汽集团
广汽集团功率半导体布局
广汽集团功率半导体应用演进
广汽集团 800V 车型销量占比
广汽集团800V SiC应用：夸克电驱2.0（1）
广汽集团800V SiC应用：夸克电驱2.0（2）
广汽集团800V SiC应用：夸克电驱1.0（1）
广汽集团800V SiC应用：夸克电驱1.0（2）
广汽集团800V SiC应用：夸克电驱1.0（3）
广汽集团GaN布局：氮化镓功率芯片项目
4.11 一汽红旗
一汽红旗汽车功率半导体布局（1）
一汽红旗汽车功率半导体布局（2）
一汽红旗功率半导体应用演进
一汽红旗800V SiC应用：天工纯电平台
一汽红旗1700V SiC：1700V超高压碳化硅功率器件
一汽红旗800V SiC：750V SiC功率芯片
一汽红旗800V SiC应用：M220-220电驱动系统
4.12 奇瑞汽车
奇瑞汽车功率半导体布局
奇瑞汽车功率半导体应用演进（1）
奇瑞汽车功率半导体应用演进（2）
奇瑞汽车 800V 车型销量占比
奇瑞汽车800V SiC应用：水下推进器
奇瑞汽车800V SiC应用：鲲鹏混动系统（1）
奇瑞汽车800V SiC应用：鲲鹏混动系统（2）
奇瑞汽车1200V SiC应用：第四代混动专用变速箱
奇瑞汽车800V SiC应用：800V电驱平台
4.13 长城汽车
长城汽车功率半导体布局
长城汽车功率半导体应用演进（1）
长城汽车功率半导体应用演进（2）
长城汽车 800V 车型销量占比
长城汽车1200V SiC应用：Hi4电混系统（1）
长城汽车1200V SiC应用：Hi4电混系统（2）
长城汽车1200V SiC应用：Hi4电混系统（3），Hi4-Z驱动平台
长城汽车800V SiC应用：X合一电驱系统
4.14 长安汽车
长安汽车功率半导体布局
长安汽车功率半导体应用演进
长安汽车800V SiC应用：超级增程2.0
长安汽车800V SiC应用：七合一电驱总成
长安汽车GaN应用：氮化镓OBC
4.15 东风汽车
东风汽车功率半导体布局
东风汽车功率半导体应用演进
东风汽车功率半导体应用演进：电驱动产品
东风汽车高压SiC应用：马赫动力（1）
东风汽车高压SiC应用：马赫动力（2），iD4系列
东风汽车高压SiC应用：马赫动力（3），iD5系列
东风汽车高压SiC应用：马赫动力（4），越野动力总成
东风汽车1700V SiC：1700V SiC MOSFET
东风汽车800V SiC：SiC模块
东风汽车800V SiC应用：十合一超高速电驱系统
东风汽车800V SiC应用：岚海智混技术
4.16 鸿蒙智行
鸿蒙智行功率半导体布局
鸿蒙智行功率半导体应用演进
鸿蒙智行 800V 车型销量占比
鸿蒙智行800V SiC应用：华为Drive ONE黄金增程动力平台
鸿蒙智行800V SiC应用：第二代华为 DriveONE 800V高压动力平台
鸿蒙智行800V SiC应用：华为 DriveONE 超融合黄金动力平台
鸿蒙智行800V SiC应用：第一代华为 DriveONE 800V高压动力平台
4.17 北汽集团
北汽集团功率半导体布局
北汽集团功率半导体应用演进
北汽集团（含极狐） 800V 车型销量占比
北汽集团功率半导体应用演进：动力总成产品
北汽集团功率半导体应用演进：动力总成规划（1）
北汽集团功率半导体应用演进：动力总成规划（2）
北汽集团800V SiC应用：极锋动力
4.18 特斯拉
特斯拉功率半导体布局
特斯拉功率半导体应用演进
特斯拉SiC应用：储能系统
特斯拉SiC应用：逆变器
4.19 大众集团
大众集团功率半导体布局
大众集团功率半导体应用演进
大众集团SiC应用：车载储能系统
大众集团SiC应用：800V高压平台
4.20 宝马汽车
宝马汽车功率半导体布局
宝马汽车功率半导体应用演进
宝马汽车SiC应用：第六代 BMW eDrive 技术
宝马汽车SiC应用：第六代 BMW eDrive 技术，电驱系统（1）
宝马汽车SiC应用：第六代 BMW eDrive 技术，电驱系统（2）
宝马汽车SiC应用：第六代 BMW eDrive 技术，电驱系统（3）
宝马汽车SiC应用：BMW eDrive电驱系统换装碳化硅逆变器
4.21 戴姆勒奔驰
戴姆勒奔驰功率半导体布局
戴姆勒奔驰功率半导体应用演进
戴姆勒奔驰功率半导体布局：车型搭载策略
戴姆勒奔驰SiC应用：逆变器
戴姆勒奔驰SiC应用：麦格纳 eDS Duo 电驱动系统
4.22 本田汽车
本田汽车功率半导体布局
本田汽车功率半导体应用演进
本田汽车SiC：SiC模块
4.23 丰田汽车
丰田汽车功率半导体布局
丰田汽车功率半导体应用演进
丰田汽车功率半导体核心技术：碳化硅
丰田汽车功率半导体核心技术：氮化镓
丰田汽车SiC应用：牵引逆变器
丰田汽车SiC应用：第六代混动系统
丰田汽车GaN应用：氮化镓逆变器
05 国外车规级功率半导体厂商研究
5.1 英飞凌
英飞凌功率半导体布局
英飞凌功率半导体布局：“在中国，为中国”战略
英飞凌功率半导体晶圆代工工艺和产品应用
英飞凌功率半导体代工工艺：晶圆技术
英飞凌功率半导体产能分布
英飞凌功率半导体产品线及技术演进
英飞凌SiC核心技术：沟槽型SiC MOSFET（1）
英飞凌SiC核心技术：沟槽型SiC MOSFET（2）
英飞凌SiC核心技术：下一代，SiC沟槽型超结（TSJ）技术
英飞凌GaN核心技术：CoolGaN™技术
英飞凌SiC MOSFET封装技术
英飞凌SiC MOSFET封装技术：嵌入式封装技术（1）
英飞凌SiC MOSFET封装技术：嵌入式封装技术（2）
英飞凌SiC产品：CoolSiC™ MOSFET
英飞凌SiC产品：CoolSiC™ MOSFET，分立器件
英飞凌SiC产品：CoolSiC™ MOSFET，模组
英飞凌SiC产品：Si/SiC混合模块
英飞凌G2 SiC MOSFET：650V CoolSiC MOSFET
英飞凌G2 SiC MOSFET：1400V CoolSiC MOSFET（1）
英飞凌G2 SiC MOSFET：1400V CoolSiC MOSFET（2）
英飞凌G2 Si/SiC混合模块：HybridPACK Drive G2 CoolSiC模块
英飞凌GaN产品：CoolGaN
英飞凌G1 CoolGaN：CoolGaN™汽车晶体管100 V G1系列
英飞凌功率半导体合作动态：与罗姆达成SiC封装技术合作（1）
英飞凌功率半导体合作动态：与罗姆达成SiC封装技术合作（2）
5.2 安森美（ON Semiconductor）
安森美功率半导体布局
安森美功率半导体产能分布
安森美功率半导体技术发展路线图
安森美功率半导体产品线及技术演进
安森美SiC核心技术：平面型SiC MOSFET（1）
安森美SiC核心技术：平面型SiC MOSFET（2）
安森美SiC核心技术：下一代，沟槽型SiC MOSFET
安森美GaN核心技术：vGaN（1）
安森美GaN核心技术：vGaN（2）
安森美SiC产品：EliteSiC MOSFET，SiC二极管
安森美SiC产品：EliteSiC MOSFET，SiC MOSFET
安森美SiC产品：EliteSiC MOSFET，SiC模块/混合模块
安森美M3 SiC MOSFET：EliteSiC MOSFET裸芯片
安森美M3 SiC MOSFET：M3S 650V SiC MOSFET 器件
安森美SiC产品应用：主驱逆变器
5.3 意法半导体
意法半导体发展历程
意法半导体发展历程：“中国化”战略
意法半导体功率半导体晶圆代工工艺和产品应用
意法半导体功率半导体产能分布
意法半导体功率半导体产品线及技术演进
意法半导体SiC产品：STPOWER系列
意法半导体SiC产品：STPOWER系列，SiC MOSFET
意法半导体SiC产品：STPOWER系列，SiC二极管
意法半导体GaN产品：STPOWER系列
5.4 三菱电机
三菱电机功率半导体布局
三菱电机功率半导体产能分布
三菱电机功率半导体产品线及技术演进
三菱电机SiC核心技术：沟槽型SiC MOSFET
三菱电机车规级SiC产品：J3系列 SiC-MOSFET模块（1）
三菱电机车规级SiC产品：J3系列 SiC-MOSFET模块（2）
三菱电机车规级SiC产品：J3系列 SiC-MOSFET模块（3）
三菱电机车规级SiC产品：J3系列 SiC-MOSFET模块（4）
三菱电机车规级SiC产品：SiC-MOSFET裸片
三菱电机车规级SiC应用：主驱逆变器/增程器
5.5 富士电机
富士电机功率半导体布局
富士电机功率半导体产能分布
富士电机功率半导体产品线及技术演进
富士电机SiC核心技术：全SiC沟槽MOSFET
富士电机SiC产品：SiC肖特基势垒二极管
富士电机SiC产品：SiC混合模块（1）
富士电机SiC产品：SiC混合模块（2）
富士电机G2 SiC模块：1200V All-SiC模块
富士电机SiC产品应用：双向OBC
5.6 威世科技（Vishay Intertechnology, Inc.）
威世科技功率半导体布局及产能分布
威世科技功率半导体产品线及技术演进
威世科技车规级SiC模组
威世科技车规级SiC模组：EF系列功率MOSFET
威世科技车规级SiC模组：1200V SiC单相全桥模块
威世科技GaN产品：D³GaN
威世科技G2 GaN产品应用：400V 主驱逆变器
5.7 东芝
东芝功率半导体布局
东芝功率半导体产能分布
功率半导体产品线及技术演进
东芝SiC核心技术：SiC器件结构创新（1）
东芝SiC核心技术：SiC器件结构创新（2）
东芝SiC产品：SiC模块/芯片
东芝G3 SiC产品：SiC MOSFET（1）
东芝G3 SiC产品：SiC MOSFET（2）
5.8 电装（DENSO）
电装功率半导体布局（1）
电装功率半导体布局（2）
电装功率半导体产能分布
电装SiC核心技术：U形沟槽SiC MOSFET
电装SiC核心技术：SiC外延生长技术
电装功率半导体产品线及技术演进
06 国内车规级功率半导体厂商研究
6.1 士兰微电子（Silan Microelectronics）
士兰微功率半导体布局
士兰微各子公司产线情况
士兰微功率半导体晶圆代工工艺和产品应用
士兰微功率半导体产能分布
士兰微功率半导体产品线及技术演进
士兰微SiC产品技术发展路线图
士兰微G2 SiC MOSFET：1200V碳化硅MOS
士兰微G2 SiC MOSFET：750V碳化硅MOS
士兰微车规级SiC产品：B3G SiC模块
士兰微SiC产品：适用于车载充电机OBC的分立器件
士兰微SiC产品应用：车载充电机OBC
士兰微SiC产品应用：DC-DC一级电源解决方案
6.2 中车时代电气
中车时代功率半导体布局
中车时代功率半导体产能分布
中车时代功率半导体产品线及技术演进
中车时代G3 SiC产品：TO SiC 器件
中车时代G3 SiC产品：全 SiC 功率模块
6.3 斯达半导体
斯达半导体功率半导体布局
斯达半导体功率半导体产能分布
斯达半导体功率半导体产品线及技术演进
斯达半导体G2 SiC产品：1200V SiC MOSFET
斯达半导体G2 SiC产品：SiC模块
6.4 芯联集成
芯联集成功率半导体布局
芯联集成2025年H1营收情况
芯联集成功率半导体晶圆代工工艺和产品应用
芯联集成功率半导体晶圆代工工艺技术平台
芯联集成功率半导体产能分布
芯联集成功率半导体产品线及技术演进
芯联集成SiC MOS芯片技术布局
芯联集成G1.7代系SiC产品：1500V SiC MOS 灌胶模组
6.5 芯聚能半导体
芯聚能功率半导体布局
芯聚能功率半导体产能分布
芯聚能功率半导体核心技术
芯聚能功率半导体产品线及技术演进
芯聚能车规级SiC产品：APD系列 SiC 模块（1）
芯聚能车规级SiC产品：APD系列 SiC 模块（2）
芯聚能车规级SiC产品：APD系列下一代 SiC 模块
6.6 华润微电子（China Resources Microelectronics）
华润微电子功率半导体布局
华润微电子功率半导体晶圆代工工艺和产品应用
华润微电子制造与服务：晶圆代工核心技术
华润微电子制造与服务：晶圆代工 IP Alliance、EDA
华润微电子功率半导体产能分布
华润微电子功率半导体产品线及技术演进
华润微电子GaN产品
华润微电子车规级SiC产品
华润微电子车规级SiC产品：SiC MOSFET
华润微电子G2 SiC产品：SiC主驱模块
华润微电子G4 SiC产品：SiC主驱模块
6.7 闻泰科技
闻泰科技功率半导体布局及产能分布
闻泰科技功率半导体产品线及技术演进
闻泰科技GaN产品
闻泰科技车规级GaN产品应用：Gemini小型增程器
闻泰科技车规级SiC产品：1200V SiC MOSFET
6.8 基本半导体（BASIC Semiconductor）
基本半导体功率半导体布局
基本半导体功率半导体产能分布
基本半导体车规级SiC产品：Pcore(TM)6系列模块（1）
基本半导体车规级SiC产品：Pcore(TM)6系列模块（2）
基本半导体车规级SiC产品：Pcore(TM)2系列模块
基本半导体车规级SiC产品：Pcore(TM)1系列模块
6.9 新洁能（NCE Power）
新洁能功率半导体布局
新洁能功率半导体产品线及技术演进
新洁能SiC产品：Super Trench平台系列
新洁能G3 SiC产品（1）
新洁能G3 SiC产品（2）
新洁能G2 SiC产品
新洁能车规级SiC产品：NCE汽车电子系列
新洁能车规级SiC产品应用：48V 汽车系统
6.10 方正微电子
方正微功率半导体布局
方正微功率半导体产能分布
方正微功率半导体产品线及技术演进
方正微车规级SiC产品
方正微车规级SiC产品应用：主驱控制器
方正微车规级SiC产品应用：车载OBC
方正微车规级SiC产品应用：直流充电机
方正微车规级SiC产品应用：DCDC转换器
方正微车规级SiC产品应用：空气悬架
方正微车规级SiC产品应用：电机压缩机驱动
方正微车规级SiC产品应用：PTC加热
07 国内外第三代功率半导体材料厂商研究
7.1 Wolfspeed（原Cree）
Wolfspeed业务情况和发展历程
Wolfspeed2025财年第二季度营收情况
Wolfspeed产能布局
Wolfspeed SiC核心技术演进：平面栅 VS 沟槽栅SiC MOSFET
Wolfspeed车规级SiC产品
Wolfspeed SiC产品：用于 EV 动力总成
Wolfspeed SiC产品：用于 EV 动力总成，分立式SiC MOSFET（1）
Wolfspeed SiC产品：用于 EV 动力总成，分立式SiC MOSFET（2）
Wolfspeed SiC产品：用于 EV 动力总成，分立式SiC MOSFET（3）
Wolfspeed SiC产品应用：XM系列三相逆变器
Wolfspeed SiC产品：用于车载充电器
Wolfspeed SiC产品：用于车载充电器，E 系列（1）
Wolfspeed SiC产品：用于车载充电器，E 系列（2）
Wolfspeed SiC产品：用于车载充电器，E 系列（3）
Wolfspeed SiC产品：用于车载充电器，E 系列解决方案
Wolfspeed SiC产品：用于板载DC/DC转换器
Wolfspeed E 系列车规级SiC MOSFET新品：E3M0900170D
Wolfspeed E 系列车规级SiC MOSFET新品：E3M0900170J
7.2 Coherent（高意）
Coherent业务情况和产能布局
Coherent2024财年-25年财年Q1营收情况
Coherent核心技术：可回收 LiB 废弃物的 SHARP™ 技术
Coherent SiC产品在汽车领域的应用
Coherent车规级SiC产品
Coherent SiC衬底材料：导电型和半绝缘型衬底
Coherent SiC衬底材料：SiC 外延片
7.3 纳微半导体（Navitas Semiconductor）
纳微半导体业务情况
纳微半导体2024年营收情况
纳微半导体产能布局
纳微半导体核心技术：GaN和SiC技术
纳微半导体核心技术：GaNFast™技术
纳微半导体GaN解决方案的演进
纳微半导体GaN产品在汽车领域的应用
纳微半导体车规级GaN/SiC产品
纳微半导体车规级SiC产品：TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs（1）
纳微半导体车规级SiC产品：TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs（2）
纳微半导体车规级SiC产品应用：22kW OBC系统解决方案
纳微半导体GaN产品：650V双向GaNFast芯片
纳微半导体GaN产品：GaNSafe™ IC系列
7.4 罗姆半导体
罗姆半导体业务情况
罗姆半导体2024财年营收情况
罗姆半导体功率半导体晶圆代工工艺和产品应用
罗姆半导体产能布局
罗姆半导体功率半导体核心技术：双沟槽SiC MOSFET（1）
罗姆半导体功率半导体核心技术：双沟槽SiC MOSFET（2）
罗姆半导体生产能力
罗姆半导体产品布局：产品线（1）
罗姆半导体产品布局：产品线（2）
罗姆半导体核心技术：EcoGaN™
罗姆半导体核心技术：EcoSiC™（1)
罗姆半导体核心技术：EcoSiC™（2)
罗姆半导体核心技术：EcoSiC™（3）
罗姆半导体核心技术：EcoSiC™（4）
罗姆半导体车规级GaN/SiC产品
罗姆半导体车规级GaN产品：650V GaN HEMT
罗姆半导体车规级GaN产品：1200V GaN HEMT
罗姆半导体车规级SiC产品：SiC模组
罗姆半导体车规级SiC产品：SiC肖特基势垒二极管
罗姆半导体车规级SiC产品：TRCDRIVE pack™系列
7.5 VisIC
VisIC业务情况
VisIC产能布局
VisIC车规级GaN产品：第2代D(3)氮化镓650V功率器件
VisIC车规级GaN产品：6.6kW D³GaN™ OBC
VisIC车规级GaN产品：V08TC65S1A2 功率开关
VisIC车规级GaN产品：面向400V系统的GaN双逆变器
7.6 CGD
CGD业务情况
CGD核心技术：ICeGaN技术（1）
CGD核心技术：ICeGaN技术（2）
CGD车规级GaN产品：P2系列GaN功率器件
CGD车规级GaN产品：H2系列GaN功率器件（1）
CGD车规级GaN产品：H2系列GaN功率器件（2）
7.7 宜普公司（EPC）
宜普公司业务情况
宜普公司核心技术：增强型氮化镓（eGaN®）晶体管及集成电路（1）
宜普公司核心技术：增强型氮化镓（eGaN®）晶体管及集成电路（2）
宜普公司封装技术：芯片级封装（CSP）（1）
宜普公司封装技术：芯片级封装（CSP）（2）
宜普公司车规级GaN产品
宜普公司车规级GaN产品：用于车载DCDC转换器
7.8 英诺赛科（INNOSCIENCE）
英诺赛科功率半导体布局
英诺赛科2024年营收情况
英诺赛科产能布局
英诺赛科核心技术：InnoGaN™器件
英诺赛科核心技术：8英寸GaN-on-Si器件技术
英诺赛科核心技术：8英寸GaN-on-Si工艺技术（1）
英诺赛科核心技术：8英寸GaN-on-Si工艺技术（2）
英诺赛科核心技术：8英寸GaN-on-Si工艺技术（3）
英诺赛科全链路GaN方案
英诺赛科车规级GaN产品
英诺赛科车规级GaN产品应用场景
英诺赛科100V车规级GaN器件：INN100W135A-Q
英诺赛科100V车规级GaN器件：INN100W800A-Q
英诺赛科40V车规级GaN产品：INN040FQ045A-Q
英诺赛科80V增强型GaN功率晶体管：INN80LA01
英诺赛科100V半桥SolidGaN产品：ISG3202LA
英诺赛科100V GaN 功率器件：INN100EA035A
英诺赛科车规级GaN产品应用：500W 电机驱动方案（1）
英诺赛科车规级GaN产品应用：500W 电机驱动方案（2），拓扑结构
英诺赛科车规级GaN产品应用：500W 电机驱动方案（3），器件性能
英诺赛科车规级GaN产品：100-150V Topside cooling 封装En-FCQFN GaN
英诺赛科车规级GaN产品：TO247-4L E-Mode 合封氮化镓
英诺赛科车规级GaN产品：100V双向硅基氮化镓晶体管
英诺赛科车规级GaN产品应用：低压电机驱动GaN方案
7.9 天岳先进
天岳先进业务情况
天岳先进2024年营收情况
天岳先进核心技术：碳化硅单晶衬底生产流程
天岳先进核心竞争力
天岳先进SiC产品应用：电力电子领域
天岳先进车规级SiC产品
7.10 三安光电（Sanan Optoelectronics）
三安光电业务情况
三安光电全资子公司：三安半导体
三安光电产能布局
三安半导体核心技术：SiC产衬底及外延
三安半导体车规级SiC产品应用
三安半导体车规级SiC产品
三安半导体车规级SiC产品：SiC MOSFET 1200V
三安半导体车规级SiC产品：SiC MOSFET 650V/1200V、 SiC SBD 1200V
三安半导体车规级SiC产品：SiC MOSFET 650V/1200V、 SiC SBD 1200V
7.11 天科合达（TANKEBLUE）
天科合达业务情况
天科合达产能布局
天科合达核心技术：车规级SiC衬底（Z级）
天科合达核心技术：车规级SiC外延片
天科合达车规级SiC产品
7.12 天域半导体（TYSIC）
天域半导体业务情况
天域半导体产能布局
天域半导体核心技术：SiC外延晶片
7.13 氮矽科技
氮矽科技业务情况
氮矽科技GaN产品：氮化镓晶体管
氮矽科技GaN产品：氮化镓驱动器
氮矽科技GaN产品：氮化镓功率集成器
氮矽科技GaN产品：氮化镓集成控制器芯片
氮矽科技车规级GaN产品：TOLL封装的增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管